Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N10S4L06ATMA1

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

138,70 kr

(exkl. moms)

173,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 830 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +13,87 kr138,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3055
Tillv. art.nr:
IPD90N10S4L06ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

75nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

relaterade länkar