Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 166-0799
Tillv. art.nr:: IPD100N04S402ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

22 815,00 kr

(exkl. moms)

28 520,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 30 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	9,126 kr	22 815,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 166-0799
Tillv. art.nr:: IPD100N04S402ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	100A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	OptiMOS-T2
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	2mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	91nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	150W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	2.41mm
	Bredd	6.22mm
	Längd	6.73mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TO-252
	Serie OptiMOS-T2
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 91nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 150W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 2.41mm
	Bredd 6.22mm
	Längd 6.73mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

RoHS-status: Inte relevant

COO (ursprungsland):: MY

Infineon OptiMOS-T2-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 100 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD100N04S402ATMA1

Denna MOSFET är en högströmsomkopplingstransistor som är utformad för krävande elektroniska system som kräver robust termisk och elektrisk prestanda. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för ytmonterad montering, erbjuder låg påslagningsresistans och effektiv ledningsförmåga för kraftomvandlings- och omkopplingsuppgifter i fordons- och industrimiljöer.

Funktioner och fördelar:

• 2 mΩ Rds ger minimala ledningsförluster
• Kontinuerlig dräneringsström på 100 A stöder tillämpningar med hög belastning
• 150 W effektförlust möjliggör betydande värmehantering
• 91 nC grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingskontroll
• 1,2 V framspänning minskar ledningsfall under belastning
• 20 V grindtolerans hjälper till att skydda mot överdriven drift

Användningsområden

• Lämplig för fordonseffektsteg som kräver AEC‐Q101-kvalificering
• Används för DC/DC-omvandlare i högströmsystem
• Idealisk för motorstyrningsomkopplare i fordonselektronik
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Används med ytmonterade enheter på kompakta strömmoduler

Vilken typ av förpackning bör designers rymma för kortlayout?

Enheten levereras i en TO‐252-kapsel och är avsedd för ytmontering, så jordmönster bör matcha kraven för trepolig konfiguration och värmeplatta.

Hur fungerar den i extrema temperaturer?

Den fungerar från -55 °C upp till 175 °C, vilket gör den lämplig för miljöer med breda termiska utflykter och förhöjda omgivningstemperaturer.

Vilken polaritet och kanalarrangemang använder den?

Det är en N-kanalförstärkningsenhet som kräver en positiv gate-till-källspänning för ledning och erbjuder standard N-kanal-omkopplingsbeteende.

Finns det gränser för dränering-till-källa- och grindspänningar att överväga?

Den maximala dränering-till-källspänningen är 40 V och grind-till-källspänningen är maximalt 20 V, så konstruktionerna måste se till att dessa gränser inte överskrids under transienter.