Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

148,20 kr

(exkl. moms)

185,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 900 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +7,41 kr148,20 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3045
Tillv. art.nr:
IPD50N06S4L12ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

12mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

50W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16 V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.41mm

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel automotive MOSFET. It has DPAK (TO-252) package type.

N-channel - Enhancement mode

100% Avalanche tested

175°C operating temperature

Relaterade länkar