Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 218-3045
Tillv. art.nr:: IPD50N06S4L12ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

148,20 kr

(exkl. moms)

185,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

5 540 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 +	7,41 kr	148,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 218-3045
Tillv. art.nr:: IPD50N06S4L12ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	50A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	OptiMOS-T2
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	12mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	30nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	50W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	16V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.73mm
	Höjd	2.41mm
	Bredd	6.22mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp TO-252
	Serie OptiMOS-T2
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 12mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 50W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.73mm
	Höjd 2.41mm
	Bredd 6.22mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD50N06S4L12ATMA2

Infineon OptiMOS-T2-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 50 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD50N06S4L12ATMA2

Denna MOSFET är en 60 V N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett omgivningstemperaturområde och är avsedd för ytmonterade enheter där effektiv ledning och kompakt förpackning krävs.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans på 12 mΩ minskar ledningsförluster
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 50 A stöder tunga laster
• 50 W effektförlustkapacitet hanterar termisk stress
• Gate-laddning på 30 nC möjliggör snabbare växlingsövergångar
• 16 V grindklassning möjliggör robusta grinddrivarmarginaler
• AEC-Q101-kvalificering säkerställer lämplighet för fordonsanvändning

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlare i fordonselektronik
• Idealisk för effektomkoppling i dragstödssystem
• Används för motorstyrsteg med hög strömstyrka
• Kan användas för batterihantering och skyddskretsar
• Lämplig för ytmonterade strömmoduler på kompakta kort

Vilka är enhetens spänningsgränser för drain och gate?

Drain-to-source klarar upp till 60 V medan gate-to-source är klassad för 16 V.

Hur klarar enheten extrema omgivningstemperaturer?

Den är specifik för drift ned till -55 °C och upp till 175 °C för varierade termiska miljöer.

Vilken förpacknings- och monteringsform använder den för kretskortsmontering?

Den levereras i en TO-252-kapsel utformad för ytmontering.

Vilken kanaltyp och vilket läge bestämmer dess ledningsbeteende?

Den använder en N-kanalstruktur konfigurerad i förstärkningsläge för kontrollerad omkoppling.

Vilka fysiska faktorer påverkar den termiska designen av layouten?

Förpackningsmåtten är kompakta med en höjd på 2,41 mm, en längd på 6,73 mm och en bredd på 6,22 mm för att underlätta tät kortplacering.