Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

16 700,00 kr

(exkl. moms)

20 875,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 +20,875 kr16 700,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2597
Tillv. art.nr:
IRF3805STRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

210A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-263

Serie

HEXFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

190nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

300W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.3mm

Bredd

6.22 mm

Längd

6.5mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon HEXFET® Power MOSFET utnyttjar de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg on-resistans per kiselarea. Ytterligare egenskaper hos denna konstruktion är en driftstemperatur på 175°C, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv lavinklassning. Dessa egenskaper samverkar till att göra denna konstruktion till en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer.

Avancerad processteknik

Ultra låg på-resistans

175°C Driftstemperatur

Snabbväxlande

Repetitiv lavin tillåts upp till Tjmax

Blyfri

Relaterade länkar