Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 222-4734
- Tillv. art.nr:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 800 enheter)*
6 967,20 kr
(exkl. moms)
8 708,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 12 oktober 2026
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 28 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 8,709 kr | 6 967,20 kr |
| 1600 + | 8,274 kr | 6 619,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4734
- Tillv. art.nr:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Längd | 10.67mm | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Längd 10.67mm | ||
Bredd 9.65mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av HEXFET® Power MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ”metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt”. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Avancerad processteknik
Ultralågt motstånd vid påslagning, snabb omkoppling
Blyfri, RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 210 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET