Infineon N Kanal, MOSFET, 85 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 915-4929
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-443
- Tillv. art.nr:
- IRF1010NSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
173,38 kr
(exkl. moms)
216,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 510 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 17,338 kr | 173,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 915-4929
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-443
- Tillv. art.nr:
- IRF1010NSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 85A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 120nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 180W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 11.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 85A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 120nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 180W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 11.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanals Power MOSFET 55V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 85 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 94 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 86 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -42 A -55 V, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 210 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET