Infineon N Kanal, MOSFET, 94 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 915-4923
- Tillv. art.nr:
- IRF1010ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
129,25 kr
(exkl. moms)
161,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 12,925 kr | 129,25 kr |
| 50 - 90 | 12,286 kr | 122,86 kr |
| 100 - 240 | 11,76 kr | 117,60 kr |
| 250 - 490 | 11,245 kr | 112,45 kr |
| 500 + | 7,112 kr | 71,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 915-4923
- Tillv. art.nr:
- IRF1010ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 94A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 11.3mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 94A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 11.3mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 94 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 140 W maximal effektförlust - IRF1010ZSTRLPBF
Denna ytmonterade MOSFET ger exceptionella prestanda i olika tillämpningar. Skapad av Infineon, utnyttjar den avancerade bearbetningstekniker för att leverera låg påslagningsresistans och hög strömhanteringsförmåga. Dess effektivitet i miljöer med höga temperaturer gör den till en viktig komponent för proffs inom automation, elektronik, el och mekanik.
Funktioner & fördelar
• Hög kontinuerlig dräneringsström på 94 A stöder omfattande belastningstillämpningar
• Låg RDS(on) på 7,5 mΩ minimerar effektförluster och förbättrar effektiviteten
• Maximal drain-källspänning på 55 V möjliggör designflexibilitet
• Hög tillförlitlighet med en maximal drifttemperatur på 175 °C
• Snabb omkopplingsförmåga minskar förseningar i kretsreaktion
• N-kanalkonfigurationen är lämplig för avancerade elektroniska konstruktioner
Användningsområden
• Används i strömhanterings- och omvandlingssystem
• Används i motorstyrningskretsar för automationsteknik
• Lämpligt för strömförsörjningsdesigner som kräver hög effektivitet
• Integral i kraftelektronik för elfordon
• Används i förnybara energisystem för effektiv energiomvandling
Vilka är konsekvenserna av den låga on-resistansfunktionen?
Den låga påslagningsresistansen på 7,5 mΩ säkerställer minimal värmegenerering under drift, vilket leder till ökad effektivitet och minskade kylkrav.
Hur fungerar denna MOSFET i miljöer med hög temperatur?
Den stöder maximala drifttemperaturer på upp till 175 °C, vilket gör den lämplig för tuffa förhållanden utan att kompromissa med prestandan.
Vilken typ av montering krävs för denna komponent?
Denna enhet är utformad för ytmonteringstillämpningar, vilket möjliggör kompakt layout och effektiv värmehantering på kretskort.
Kan den hantera pulserande strömmar effektivt?
Ja, den har en pulserad dräneringsström på 360 A, vilket gör att den kan hantera transienter effektivt.
Vilka egenskaper bör jag ta hänsyn till för kretskompatibilitet?
Se till att grindens tröskelspänning varierar från 2 V till 4 V för att säkerställa korrekt omkopplingsbeteende inom din kretskonstruktion.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 94 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -42 A -55 V, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET