Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

328,38 kr

(exkl. moms)

410,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 780 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 8016,419 kr328,38 kr
100 - 18015,591 kr311,82 kr
200 - 48014,941 kr298,82 kr
500 - 98014,275 kr285,50 kr
1000 +13,295 kr265,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
915-5112
Distrelec artikelnummer:
304-44-481
Tillv. art.nr:
IRLZ34NSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-263

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Maximal effektförlust Pd

68W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.83mm

Bredd

11.3mm

Längd

10.67mm

Fordonsstandard

Nej

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 30 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 68 W maximal effektförlust - IRLZ34NSTRLPBF


Denna högpresterande N-kanaliga MOSFET möjliggör effektiv switchning och förstärkning i olika elektriska applikationer. Med en kontinuerlig dräneringsström på 30 A och en maximal dräneringskällspänning på 55 V passar den för applikationer inom fordons-, industri- och konsumentelektronik. Dess ytmonterade design förenklar integrationen i moderna kretskort, vilket gör den till en nyckelkomponent för effektiv strömhantering.

Funktioner & fördelar


• Låg grindtröskelspänning för ökad kopplingshastighet

• Låg RDS(on) för effektiv strömförbrukning

• Hög värmebeständighet möjliggör drift vid förhöjda temperaturer

• Maximal effektförlust på 68 W bidrar till lång livslängd

• Ytmonteringsteknik stöder kompakta konstruktioner

• Effektiv drivning med hög gate-laddning vid 5V

Användningsområden


• Strömförsörjningskretsar för effektiv spänningsreglering

• Motorstyrning kräver snabb omställning

• DC-DC-omvandlare för förbättrad effektivitet

• Precisionsinstrument för pålitlig prestanda

• Fordon med höga krav på tillförlitlighet

Vilken är den maximala kontinuerliga ström som denna komponent kan hantera?


Enheten kan hantera en maximal kontinuerlig dräneringsström på 30 A.

Hur hanterar denna MOSFET termisk prestanda?


Den arbetar vid en maximal temperatur på +175 °C, vilket garanterar tillförlitlighet i miljöer med höga temperaturer.

Kan den användas i fordonsapplikationer?


Ja, dess robusta konstruktion och höga temperaturtolerans gör den lämplig för olika fordonskretsar.

Vilken typ av kretskonfigurationer kan den stödja?


MOSFET:en stöder transistorkonfigurationer i förstärkningsläge, vilket är idealiskt för switchapplikationer.

Är den kompatibel med ytmonterade kretsar?


Ja, kapslingstypen D2PAK (TO-263) gör det lätt att integrera i ytmonterade applikationer och underlättar enkel placering på kretskort.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.