Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

2 808,95 kr

(exkl. moms)

3 511,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5056,179 kr2 808,95 kr
100 - 10053,37 kr2 668,50 kr
150 +52,008 kr2 600,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2556
Tillv. art.nr:
IPP60R040C7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

CoolMOS C7

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

40mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

227W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

107nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

29.95mm

Längd

10.36mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs. Efficiency and TCO (total cost of ownership) applications such as hyperdata centres and high efficiency telecom rectifiers (>96%) benefit from the higher efficiency offered by CoolMOS™ C7. Gains of 0.3% to 0.7% in PFC and 0.1% in LLC topologies can be achieved. In the case of a 2.5kW server PSU, for example, using 600V CoolMOS™ C7 SJ MOSFETs in a TO-247 4pin package can result in energy cost reductions of ∼10% for PSU energy loss.

Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss

Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)

Increased switching frequency

Best R (on)*A in the world

Rugged body diode

Relaterade länkar