Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2578
- Tillv. art.nr:
- IRF6668TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
185,47 kr
(exkl. moms)
231,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 320 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 18,547 kr | 185,47 kr |
| 50 - 90 | 17,618 kr | 176,18 kr |
| 100 - 240 | 16,878 kr | 168,78 kr |
| 250 - 490 | 16,139 kr | 161,39 kr |
| 500 + | 15,03 kr | 150,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2578
- Tillv. art.nr:
- IRF6668TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon HEXFET® Power MOSFET has 80V maximum drain source voltage in a DirectFET MZ package rated at 55 amperes optimized with low on resistance. The IRF6668PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques. Application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%.
Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)
Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket
Optimized for Synchronous Rectification
Low Conduction Losses
High Cdv/dt Immunity
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 55 A 80 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 375 A 60 V Förbättring DirectFET HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 68 A 60 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 21 A 60 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 19 A 200 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 81 A 20 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 150 A 20 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 86 A 60 V Förbättring MN HEXFET