Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 215-2465
- Tillv. art.nr:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
186,26 kr
(exkl. moms)
232,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 11 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 9,313 kr | 186,26 kr |
| 100 - 180 | 8,848 kr | 176,96 kr |
| 200 - 480 | 8,473 kr | 169,46 kr |
| 500 - 980 | 8,103 kr | 162,06 kr |
| 1000 + | 7,549 kr | 150,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2465
- Tillv. art.nr:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 47A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | SuperSO | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 36W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 47A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp SuperSO | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 36W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figures of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(the)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.
Low R DS(on) in small package
Low gate charge
Lower output charge
Logic level compatibility
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 47 A 60 V Förbättring SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 81 A 40 V Förbättring SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 98 A 40 V Förbättring SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 100 A 30 V Förbättring SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 95 A 80 V Förbättring SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 70 A 40 V Förbättring SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 100 A 25 V Förbättring SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 100 A 40 V Förbättring SuperSO, OptiMOS 5 AEC-Q101
