Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 47 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SuperSO BSC094N06LS5ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

186,26 kr

(exkl. moms)

232,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 12 000 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 809,313 kr186,26 kr
100 - 1808,848 kr176,96 kr
200 - 4808,473 kr169,46 kr
500 - 9808,103 kr162,06 kr
1000 +7,549 kr150,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2465
Tillv. art.nr:
BSC094N06LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

47A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SuperSO

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

36W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figures of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(the)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.

Low R DS(on) in small package

Low gate charge

Lower output charge

Logic level compatibility

relaterade länkar