Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

186,26 kr

(exkl. moms)

232,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 11 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 809,313 kr186,26 kr
100 - 1808,848 kr176,96 kr
200 - 4808,473 kr169,46 kr
500 - 9808,103 kr162,06 kr
1000 +7,549 kr150,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2465
Tillv. art.nr:
BSC094N06LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

47A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

SuperSO

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

13.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.4nC

Maximal effektförlust Pd

36W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figures of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(the)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.

Low R DS(on) in small package

Low gate charge

Lower output charge

Logic level compatibility

Relaterade länkar