Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 215-2461
Tillv. art.nr:: BSC052N08NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

133,33 kr

(exkl. moms)

166,66 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

4 790 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 +	13,333 kr	133,33 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 215-2461
Tillv. art.nr:: BSC052N08NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	95A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Serie	OptiMOS
	Kapseltyp	SuperSO
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	5.2mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	32nC
	Maximal effektförlust Pd	83W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 95A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Serie OptiMOS
	Kapseltyp SuperSO
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 5.2mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC
	Maximal effektförlust Pd 83W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC052N08NS5ATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 80 V maximal drain-källspänning, 95 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC052N08NS5ATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanaltransistor med förstärkningsläge som är utformad för högströmsväxling i kraftelektronik. Den är avsedd för tillämpningar som kräver effektiv ledning och snabb omkoppling över ett brett omgivningsområde, och levereras i ett 8-stifts SuperSO-paket som är lämpligt för kompakta kortlayouter.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans på 5.2 mΩ ger minskade ledningsförluster
• Hög kontinuerlig dräneringsström 95 A möjliggör hög belastningshantering
• 80 V drain-source-klassning som stöder medelspänningsdesigner
• Maximal effektförlust på 83 W ger långvarig termisk belastning
• Typisk grindladdning 32 nC för snabbare växlingsövergångar
• Gate-source-tolerans 20 V för att tillgodose robusta drivspänningar

Användningsområden

• Lämplig för högeffektiva DC/DC-omvandlare i strömskenor
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningssteg
• Används för omkoppling av motordrivning, halvbrygga och växelriktare
• Kan användas för server- och telekommoduler för strömfördelning
• Används inom industriell switchning där ett brett temperaturområde krävs

Vilka extrema temperaturer kan enheten tolerera under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i krävande termiska miljöer.

Vilken monteringsmetod och förpackning bör jag tillåta på kortet?

Enheten levereras som en ytmonterad 8-stifts SuperSO-kapsel, så layouten bör rymma den termiska dynan och SMD-jordmönstret.

Hur uppför sig transistorn när den drivs med starkare grindspänningar?

Grindkällans maximala spänning är 20 V

inom vilka begränsning av högre drivspänningar minskar RDS(on) och förbättrar ledningsförmåga.

Vilka omkopplingsegenskaper påverkar layouten för högfrekventa konstruktioner?

En typisk grindladdning på 32 nC bestämmer grinddrivarens energi och påverkar drivkretsar och EMI-minskningsstrategier.