Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 215-2500
- Tillv. art.nr:
- IPC70N04S54R6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
139,60 kr
(exkl. moms)
174,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 24 860 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 6,98 kr | 139,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2500
- Tillv. art.nr:
- IPC70N04S54R6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SuperSO | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM-5 Power-Transistor-serien MOSFET är en N-typ-kanal med förstärkningskanalläge. Kapslingstypen för MOSFET är SuperSO8 5x6 och 8 antal stift.
N-kanal - Förbättringsläge - Normal nivå
AEC Q101-kvalificerade
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 98 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS