Infineon N Kanal, MOSFET, 98 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

191,08 kr

(exkl. moms)

238,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 7 740 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 809,554 kr191,08 kr
100 - 1807,459 kr149,18 kr
200 - 4806,978 kr139,56 kr
500 - 9806,496 kr129,92 kr
1000 +6,015 kr120,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2457
Tillv. art.nr:
BSC032N04LSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

98A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SuperSO

Serie

OptiMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Maximal effektförlust Pd

52W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 98 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC032N04LSATMA1


Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad strömomkoppling och omvandling i krävande elektroniska system. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och passar tillämpningar som kräver låga ledningsförluster och betydande kontinuerlig strömhantering i ett kompakt SuperSO-paket.

Funktioner och fördelar:


• Mycket låg påslagningsresistans på 4.4 mΩ för minskade ledningsförluster
• 98 A kontinuerlig avtappningskapacitet för kraftiga strömbelastningar
• 40 V drain-to-source-klassning för mellanspänningseffektsteg
• Maximal effektförlust på 52 W för termiskt huvudutrymme
• Typisk grindladdning 25 nC möjliggör effektiv grindstyrning
• Fungerar från -55 °C till 175 °C för utökad temperaturtolerans

Användningsområden


• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för synkron likriktering inom strömhantering
• Används för motordrivningssteg som kräver ytmonterade delar
• Kan användas för telekom- och serverströmdistribution
• Lämplig för batteridrivna system som behöver låg Vf-omkoppling

Vilka grinddrivaröverväganden krävs för effektiv omkoppling?


Drive-kretsen bör leverera tillräcklig toppström för att ladda 25 nC-grinden snabbt samtidigt som den styr omkopplingsvägen för att balansera omkopplingsförluster och EMI.

Hur bör värmehantering hanteras på kretskortet?


Använd flera lager av kopparplan och termiska ledare under SuperSO-fotavtrycket för att sprida 52 W avledning och lägre termisk motstånd mellan koppling och kretskortet.

Vilka elektriska påfrestningar måste enheten motstå under tillfälliga händelser?


Enheten är klassad för 40 V Vds stabilt tillstånd

transientskydd som t.ex. snubbar eller transientdämpning av spänning bör användas för att begränsa spänningsöverskridning över denna nivå.

Finns det specifika layoutmetoder för att minimera ledningsförluster?


Brett, korta kopparspår för dränerings- och källanslutningar och minimerar slinginduktans mellan enheten och dess grinddrivare för att bevara den låga fördelen på 4,4 mΩ.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.