Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 214-9070
- Tillv. art.nr:
- IPL60R104C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
240,58 kr
(exkl. moms)
300,725 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 965 enhet(er) från den 13 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 48,116 kr | 240,58 kr |
| 10 - 20 | 43,30 kr | 216,50 kr |
| 25 - 45 | 40,432 kr | 202,16 kr |
| 50 - 120 | 38,012 kr | 190,06 kr |
| 125 + | 35,124 kr | 175,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9070
- Tillv. art.nr:
- IPL60R104C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Kapseltyp | VSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 104mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 122W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 8.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Kapseltyp VSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 104mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 122W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 8.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. These are suitable for hard and soft switching functions. It comes with increased power density solutions due to smaller packages. It Incorporates optimized PCB assembly and layout solutions.
Suitable for hard and soft switching
SMD package with very low parasitic inductance for easy device control
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 20 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 15 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 10 A 700 V Förbättring PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 13 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 19.2 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 22.4 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 16 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal 97 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS