Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 4 Ben, PG-VSON-4, CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 273-5350
- Tillv. art.nr:
- IPL65R230C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
48,38 kr
(exkl. moms)
60,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 76 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 24,19 kr | 48,38 kr |
| 50 - 98 | 20,16 kr | 40,32 kr |
| 100 - 248 | 18,705 kr | 37,41 kr |
| 250 - 998 | 17,25 kr | 34,50 kr |
| 1000 + | 16,91 kr | 33,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5350
- Tillv. art.nr:
- IPL65R230C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Kapseltyp | PG-VSON-4 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.23Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 67W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC(J-STD20 andJESD22) | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Kapseltyp PG-VSON-4 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.23Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 67W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC(J-STD20 andJESD22) | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Power MOSFET är konstruerad med revolutionerande CoolMOSTM-teknik för högspänningseffekts-MOSFET:ar. Den är utformad enligt superkopplingsprincipen och banbrytande av Infineon Technologies. CoolMOSTM C7-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i högklass. Produktportföljen ger alla fördelar med snabba superkopplings-MOSFET-transistorer med bättre effektivitet, minskad grindladdning, enkel implementering och enastående tillförlitlighet.
Halogenfria
Bättre effektivitet
Blyplätering utan bly
Hög effekttäthet
Bättre kontroll av grinden
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 4 Ben, PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 700 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 700 V Förbättring, 4 Ben, PG-VSON-4, IPL
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7