Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

11 860,00 kr

(exkl. moms)

14 825,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 15 000 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,744 kr11 860,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-9054
Tillv. art.nr:
IPD90N04S403ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

90A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

OptiMOS-T2

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

94W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.5mm

Bredd

6.22 mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.3mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

It is Automotive AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

Relaterade länkar