Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-9055
- Tillv. art.nr:
- IPD90N04S403ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 15 enheter)*
81,765 kr
(exkl. moms)
102,21 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 17 085 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 5,451 kr | 81,77 kr |
| 75 - 135 | 5,182 kr | 77,73 kr |
| 150 - 360 | 4,958 kr | 74,37 kr |
| 375 - 735 | 4,741 kr | 71,12 kr |
| 750 + | 4,525 kr | 67,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9055
- Tillv. art.nr:
- IPD90N04S403ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
It is Automotive AEC Q101 qualified
100% Avalanche tested
It has 175°C operating temperature
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 90 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 100 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 30 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 50 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 86 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 50 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 100 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2