Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-9055
- Tillv. art.nr:
- IPD90N04S403ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
190,065 kr
(exkl. moms)
237,585 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 17 085 enhet(er) från den 18 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 12,671 kr | 190,07 kr |
| 75 - 135 | 12,044 kr | 180,66 kr |
| 150 - 360 | 11,521 kr | 172,82 kr |
| 375 - 735 | 11,021 kr | 165,32 kr |
| 750 + | 10,521 kr | 157,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9055
- Tillv. art.nr:
- IPD90N04S403ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.5mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.5mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons sortiment av nya OptiMOS -T2 har en rad energieffektiva MOSFET-transistorer med koldioxidreducering och elektriska drivningar. Den nya OptiMOS -T2-produktfamiljen utökar de befintliga OptiMOS -T- och OptiMOS-familjerna. OptiMOS-produkter finns i högpresterande kapslingar för att hantera de mest utmanande applikationerna, vilket ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i de skärpta nästa generations standarder för spänningsreglering i datortillämpningar.
Den är AEC Q101-kvalificerad för fordon
100 % avalanche-testad
Den har en drifttemperatur på 175 °C
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101