Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 165 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-8992
Tillv. art.nr:
IAUS165N08S5N029ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

165A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

OptiMOS 5

Kapseltyp

HSOG

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

2.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon range of OptiMOS-5 Mosfet has a range of energy efficient MOSFET transistors. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

Relaterade länkar