Infineon N Kanal, MOSFET, 165 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-167
- Tillv. art.nr:
- IAUCN08S7N024ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 50 till för att spara 95,20 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
188,83 kr
(exkl. moms)
236,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Dessutom levereras 4 995 enhet(er) från den 06 november 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 37,766 kr | 188,83 kr | - |
| 50 - 95 | 35,862 kr | 179,31 kr | 95,20 kr |
| 100 - 495 | 33,286 kr | 166,43 kr | 448,00 kr |
| 500 - 995 | 30,598 kr | 152,99 kr | 3 584,00 kr |
| 1000 + | 29,478 kr | 147,39 kr | 8 288,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-167
- Tillv. art.nr:
- IAUCN08S7N024ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 165A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS-TM7 | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8-34 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 148W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 165A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie OptiMOS-TM7 | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8-34 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 148W | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 165 A maximal kontinuerlig drain-ström, 80 V maximal drain-källspänning - IAUCN08S7N024ATMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Hur förbättrar den kapacitiva pekfunktionen användbarheten i olika miljöer?
Vilka effektkrav har denna displaypanel för optimal drift?
Kan anpassningsalternativen vara effektiva för att skräddarsy användargränssnittet?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 268 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 179 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 173 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 370 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-43, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 139 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
