Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

9 271,20 kr

(exkl. moms)

11 588,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 - 80011,589 kr9 271,20 kr
1600 +11,299 kr9 039,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-3119
Tillv. art.nr:
IRFS52N15DTRLP
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

51A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

32mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

89nC

Maximal effektförlust Pd

230W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

9.65mm

Längd

10.67mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.83 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IRFS series single N-channel IR MOSFET. This MOSFET is used in high frequency DC-DC converters, plasma Display Panel etc.

Lead-free

Significant reduction of switching losses