Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 96 A 200 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4424
Tillv. art.nr:
IPT111N20NFDATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

96A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

HSOF

Serie

OptiMOS 3

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

11.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

65nC

Maximal effektförlust Pd

375W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.4mm

Längd

10.1mm

Fordonsstandard

Nej

This Infineon OptiMOS 3 MOSFET is perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.

It is RoHS compliant

Relaterade länkar