Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 96 A, 200 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT111N20NFDATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

174,16 kr

(exkl. moms)

217,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 066 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 887,08 kr174,16 kr
10 - 1874,93 kr149,86 kr
20 - 4869,665 kr139,33 kr
50 - 9865,295 kr130,59 kr
100 +60,09 kr120,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4424
Tillv. art.nr:
IPT111N20NFDATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

96A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

HSOF

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10.58 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.1mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

This Infineon OptiMOS 3 MOSFET is perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.

It is RoHS compliant

relaterade länkar