Infineon N Kanal, MOSFET, 300 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 178-7451
Tillv. art.nr:: IPT007N06NATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 300 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

55 240,00 kr

(exkl. moms)

69 040,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

2 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	27,62 kr	55 240,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-7451
Tillv. art.nr:: IPT007N06NATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	300A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Kapseltyp	HSOF
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	216nC
	Maximal effektförlust Pd	375W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	10.58mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	10.1mm
	Höjd	2.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie OptiMOS 5
	Kapseltyp HSOF
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 216nC
	Maximal effektförlust Pd 375W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 10.58mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 10.1mm
	Höjd 2.4mm
	Fordonsstandard Nej

IPT007N06N OptiMOS Power-Transistor, 60 V

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 300 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPT007N06NATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för strömomkoppling i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för tuffa miljöer och levereras i ett ytmonterat HSOF-paket för att stödja kompakta kortlayouter och effektiv värmehantering.

Funktioner och fördelar:

• 60 V avtappningsklassning möjliggör medelspänningskonstruktioner
• 300 A kontinuerlig strömhantering för omkoppling vid kraftig belastning
• 1 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i vägar med hög ström
• 375 W effektförlust möjliggör kontinuerlig drift med hög effekt
• 216 nC typisk grindladdning för förutsägbara krav på grinddrivning
• ±20 V gate-tolerans som stöder robusta gate-drivtransienter

Användningsområden

• Lämplig för servrar och datacenter för strömomvandling
• Idealisk för motordrivna växelriktarnas utgångssteg
• Används för högströms synkronlikriktelse i PSU:er
• Kan användas för DC/DC-omvandlare i telekomutrustning
• Lämplig för industriell strömhantering och drivrutiner

Vilka termiska gränser bör konstruktörer ta hänsyn till för kontinuerlig drift?

Enheten är klassad för att dissipera upp till 375 W

måste konstruktörerna säkerställa tillräcklig koppar för kretskort, termiska ledningar eller kylflänsar för att hålla kopplingstemperaturen inom acceptabla gränser på grund av systemets effektförlust.

Hur påverkar grindladdning valet av drivkrets?

Med en typisk grindladdning på 216 nC måste grinddrivare leverera tillräcklig toppström och omkopplingshastighet för att uppnå önskade övergångstider samtidigt som de hanterar omkopplingsförluster och EMI.

Vilka detaljer gäller enhetens mekaniska montering och antal stift?

Den levereras i ett ytmonterat HSOF-paket med åtta stift, vilket möjliggör anslutningar på kortnivå med låg induktans för vägar med hög ström.

Vilket driftstemperaturområde kan förväntas i systemkonstruktionen?

Komponenten är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i termiskt utmanande miljöer när lämpliga termiska designmetoder tillämpas.