Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

21 672,50 kr

(exkl. moms)

27 090,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 17 500 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +8,669 kr21 672,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4389
Tillv. art.nr:
IPD70N12S311ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

70A

Maximal källspänning för dränering Vds

120V

Serie

OptiMOS-T

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

11.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

125W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.65mm

Höjd

2.35mm

Bredd

6.42 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET is suitable for automotive applications and it is 100% Avalanche tested.

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

Relaterade länkar