Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P
- RS-artikelnummer:
- 825-9051
- Tillv. art.nr:
- IPD042P03L3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
154,56 kr
(exkl. moms)
193,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 790 enhet(er) från den 17 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 15,456 kr | 154,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 825-9051
- Tillv. art.nr:
- IPD042P03L3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 131nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Bredd | 5.97mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 131nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.41mm | ||
Bredd 5.97mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS™P P-kanaliga effekt-MOSFET:er
Anoden Infineon OptiMOS™ P-kanaliga effekt-MOSFET:er är konstruerade för att ge förbättrade funktioner med kvalitetsprestanda. Bland egenskaperna finns ultralåg switchförlust, on-state-resistans, lavinklassning samt AEC-kvalificering för lösningar inom fordonsindustrin. Applikationerna omfattar likström, motorstyrning, fordonsindustri och eMobility.
Förbättringsläge
Avalanche-klassad
Låga effektförluster vid växling och ledning
Pb-fri blyplätering; RoHS-kompatibel
Standardpaket
OptiMOS™ P-kanalsserie: Temperaturområde från -55°C till +175°C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET och diod, 70 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 310 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET och diod, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, Effekttransistor, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P AEC-Q
- Infineon Typ P Kanal, Effekttransistor, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P AEC-Q