Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

82,88 kr

(exkl. moms)

103,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 9 880 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +8,288 kr82,88 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4374
Tillv. art.nr:
IPD30N06S2L13ATMA4
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

13mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

136W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

54nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.35mm

Bredd

6.42 mm

Längd

6.65mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is 100% Avalanche tested.

It is lead-free

Relaterade länkar