Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S2L13ATMA4

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

82,88 kr

(exkl. moms)

103,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 9 880 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +8,288 kr82,88 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4374
Tillv. art.nr:
IPD30N06S2L13ATMA4
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.65mm

Height

2.35mm

Width

6.42 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is 100% Avalanche tested.

It is lead-free

relaterade länkar