Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

107,52 kr

(exkl. moms)

134,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 290 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4010,752 kr107,52 kr
50 - 9010,206 kr102,06 kr
100 - 2409,784 kr97,84 kr
250 - 4909,346 kr93,46 kr
500 +8,70 kr87,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4370
Tillv. art.nr:
IPB60R280P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

600V CoolMOS P7

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

280mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

53W

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.5mm

Bredd

9.27 mm

Längd

10.02mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Relaterade länkar