Infineon N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

2 040,85 kr

(exkl. moms)

2 551,05 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5040,817 kr2 040,85 kr
100 - 20038,777 kr1 938,85 kr
250 +36,328 kr1 816,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4413
Tillv. art.nr:
IPP60R060P7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

48A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

164W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

67nC

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.4mm

Bredd

15.93mm

Längd

10.2mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon 600 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 48 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPP60R060P7XKSA1


Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal för omkoppling som är utformad för strömomvandling och omkopplingstillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för genomgående hålmontering i TO-220-format, vilket ger ett kompakt, användbart alternativ för ingenjörer som behöver en robust enhet för högspänningskretsar.

Funktioner och fördelar:


• 600 V-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 48 A kontinuerlig dräneringsström som stöder hantering av tung belastning
• Maximal effektförlust på 164 W för drift med hög effekt
• Maximal RDS(on) på 60 mΩ ger låga ledningsförluster
• 67 nC typisk grindladdning som möjliggör förutsägbara drivkrav
• 20 V maximal gate-källspänning som passar standard gate-drivare

Användningsområden


• Lämplig för SMPS-omkopplingsstegen på primärsidan
• Idealisk för industriella motorstyrda växelriktarsteg
• Används med högspänningsbatterihanteringssystem
• Kan användas för effektfaktorkorrigering av förregulatorer
• Användbar vid omvandling av LED-belysning till nätströmförsörjning

Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, täcker tuffa omgivnings- och förhöjda kopplingsförhållanden för krävande miljöer.

Vilket paket och vilken monteringsmetod finns för montering på kortet?


Den levereras i en TO-220-kapsel utformad för genomgående hålmontering, vilket underlättar kylelement och enkel lödmontering.

Hur påverkar enhetens krav på grinddrivning valet av drivare?


Med en typisk grindladdning på 67 nC och en VGS-gräns på 20 V, välj en drivare som kan generera och sänka tillräckligt med ström utan att överskrida grindspänningsgränsen.

Vilka lednings- och omkopplingsegenskaper påverkar effektiviteten?


Det maximala drain-source-motståndet på 60 mΩ och den framåtriktade spänningen på 0,9 V indikerar dess ledningsförluster och framåtriktade fallegenskaper under belastning, vilket är relevant vid beräkning av systemets effektivitet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.