Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 215-2480
- Tillv. art.nr:
- IPA60R360P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
180,54 kr
(exkl. moms)
225,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 620 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 9,027 kr | 180,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2480
- Tillv. art.nr:
- IPA60R360P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 22W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 22W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600 V Cool MOSTM P7 är efterföljaren till 600 V Cool MOSTM P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen. Klassens bästa R onxA och den inneboende låga grindladdningen (Q G) på Cool MOSTM 7:e generationens plattform säkerställer dess höga effektivitet. Den kombinerar fördelarna med en snabb SJ MOSFET med utmärkt användarvänlighet, t.ex. mycket låg ringningstendens, enastående robusthet hos husdioden mot hård kommutation och utmärkt ESD-kapacitet. Dessutom gör extremt låga omkopplings- och ledningsförluster omkopplingstillämpningar effektivare, mer kompakt och mycket kallare.
Lämplig för hård och mjuk omkoppling (PFC och LLC) tack vare enastående motståndskraft
>
Betydande minskning av omkopplings- och ledningsförluster
Brett sortiment i hålmonterings- och ytmonteringsförpackningar
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7