Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7

RS-artikelnummer:: 215-2480
Tillv. art.nr:: IPA60R360P7SXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

180,54 kr

(exkl. moms)

225,68 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 3 600 enhet(er) från den 15 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 +	9,027 kr	180,54 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 215-2480
Tillv. art.nr:: IPA60R360P7SXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	9A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Serie	600V CoolMOS P7
	Kapseltyp	TO-220
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	360mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	13nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	22W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	900mV
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Serie 600V CoolMOS P7
	Kapseltyp TO-220
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 22W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 900mV
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPA60R360P7SXKSA1

Infineon 600 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 600 V avtappningskällspänning, 9 A kontinuerlig avtappningsström – IPA60R360P7SXKSA1

Denna MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för strömomvandlingsroller i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är konstruerad för genomgående hålmontering i konventionella monteringsarbetsflöden, vilket ger en kompakt lösning för kretsar som kräver en robust N-kanalförstärkningsenhet med hög dränerings-till-källspänning.

Funktioner och fördelar:

• 600 V avtappningstolerans möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 9 A stöder medelstora belastningar
• 360 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid driftström
• 22 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 13 nC typisk grindladdning säkerställer effektiva drivkraven
• 0.9 V framspänning minimerar diodledningsfallet

Användningsområden

• Lämplig för industriella högspänningsströmförsörjningar
• Idealisk för switchade effektomvandlingstopologier
• Används för hårdväxling i växelriktarsteg
• Kan användas för effektfaktorkorrigering på nätsidan
• Används med värmesänkta enheter i strömmoduler

Vilket paket och monteringsmetod använder den?

Den levereras i en TO-220-förpackning och är avsedd för genomgående hålmontering för att ge en säker mekanisk och termisk anslutning.

Vilka grind- och termiska gränsvärden måste en konstruktör följa?

Grinden kan drivas upp till 20 V i förhållande till källan och enheten bör kylas för att hantera upp till 22 W förlust inom dess arbetstemperaturområde.

Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?

Den är klassad för drift över låga -55 °C upp till höga 150 °C för en mängd olika termiska miljöer.

Vilket ledningsläge och kanaltyp erbjuds?

Komponenten är en N-kanals förstärkningsenhet som är lämplig för vanliga transistorswitchtopologier.