Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1000 enheter, på en rulle med 1000)*

7 185,00 kr

(exkl. moms)

8 981,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 - 10007,185 kr7 185,00 kr
2000 +6,846 kr6 846,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4371
Tillv. art.nr:
IPB60R360P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

600V CoolMOS P7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

360mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

41W

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

9.27mm

Längd

10.02mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.5mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon 600 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 600 V avtappningskällspänning, 9 A kontinuerlig avtappningsström – IPB60R360P7ATMA1


Denna MOSFET är en högspännings-N-kanal-enhet som är utformad för omkopplings- och effektomvandlingsroller i industriella kraftsystem. Den levereras i en TO-263-förpackning för ytmontering och är avsedd för tillämpningar som kräver robust grindstyrning och hantering av betydande avtappningsström inom förhöjda temperaturområden.

Funktioner och fördelar:


• 600 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• Kontinuerlig dräneringsström på 9 A stöder betydande belastningsströmmar
• 360 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• Maximal effektförlust på 41 W hanterar termisk påfrestning under drift
• 13 nC typisk grindladdning möjliggör effektiva grindstyrningsövergångar
• 20 V maximal gate-source-tolerans möjliggör vanliga gate-drivspänningar

Användningsområden


• Används för omkopplingssteg för högspänningsströmförsörjning
• Passar för industriella AC/DC-omvandlingsmoduler
• Idealisk för sekundär-sidans synkrona likriktningsimplementeringar
• Kan användas för högspänningsmotorhjälpkretsar
• Används med ytmonterade enheter som kräver strömförsörjningsenheter med tre terminaler

Vilka extrema temperaturer kan den tolerera under drift?


Den fungerar i ett intervall från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer.

Vilket paket och monteringsmetod använder den för kortintegrering?


Den levereras i en TO-263-kapsel utformad för ytmontering för att underlätta termisk kontakt och automatiserad montering.

Hur hanterar enheten kraven på grinddrivning för snabb omkoppling?


Med en typisk grindladdning på 13 nC och en grindkällgräns på 20 V stöder den snabb omkoppling samtidigt som vanliga grinddrivarspänningar används.

Vilken polaritet och vilket kontrollläge använder transistorn?


Det är en förstärkningsenhet av N-typ som är lämplig för switchingtopologier på låg- och hög-sidan.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.