Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7

RS-artikelnummer:: 214-4369
Tillv. art.nr:: IPB60R280P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7

Antal (1000 enheter, på en rulle med 1000)*

8 851,00 kr

(exkl. moms)

11 064,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 02 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	8,851 kr	8 851,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-4369
Tillv. art.nr:: IPB60R280P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	12A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Kapseltyp	TO-263
	Serie	600V CoolMOS P7
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	280mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Maximal effektförlust Pd	53W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	18nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	10.02mm
	Bredd	9.27mm
	Höjd	4.5mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Kapseltyp TO-263
	Serie 600V CoolMOS P7
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Maximal effektförlust Pd 53W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 10.02mm
	Bredd 9.27mm
	Höjd 4.5mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPB60R280P7ATMA1

Infineon 600 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 600 V avtappningskällspänning, 12 A kontinuerlig avtappningsström – IPB60R280P7ATMA1

Denna MOSFET är en högspänningsförstärkningsenhet med N-kanal som är konstruerad för strömomkoppling i krävande elektroniska system. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är avsedd för ytmonterade tillämpningar där robust spänningshantering och kontrollerad grindstyrning krävs. Komponenten passar konstruktioner som kräver högspänningsblockering, måttlig ledningsström och kompakt montering.

Funktioner och fördelar:

• 600 V drain-source-klassning för högspänningsomkopplingsförmåga
• 12 A kontinuerlig dräneringsström för långvarig belastningshantering
• 280 mΩ Rds(on) för effektiv ledning vid normala driftförhållanden
• 18 nC typisk grindladdning för förutsägbar omkopplingsenergi
• 53 W maximal effektförlust för termisk marginal i effektsteg
• 20 V gate-tolerans för kompatibilitet med vanliga gate-drivrutiner

Användningsområden

• Lämplig för offline-strömförsörjningar och SMPS primärbrytare
• Idealisk för högspännings-DC-omvandlare och strömmoduler
• Används med likriktnings- och snubbernätverk vid strömkonditionering
• Kan användas för industriella motorstyrningsfrontändar
• Används för telekomkraftssystem som kräver utrymmesbesparande montering

Vilket paket och monteringsmetod kräver den?

Den levereras i en TO-263-kapsel utformad för ytmontering för att ge kortintegrering med låg profil och effektiv värmeledning på kortnivå.

Vilka termiska gränser styr dess användning i miljöer med höga temperaturer?

Enheten är klassad för drift mellan -55 °C och 150 °C, vilket definierar tillåtna omgivnings- och kopplingsförhållanden för tillförlitlig drift inom det intervallet.

Hur påverkar grindspecifikationen valet av extern drivrutin?

Med en maximal gate-källspänning på 20 V bör drivrutinerna hålla topp-Vgs inom denna gräns och ta hänsyn till den typiska gate-laddningen på 18 nC vid dimensionering av drivströmmen för önskad omkopplingshastighet.

Vilket ledningsbeteende bör konstruktörer förvänta sig under kontinuerlig belastning?

Förvänta kontinuerliga dräneringsströmmar på upp till 12 A, med ledningsförluster som påverkas av den specificerade påslagningsresistansen på 280 mΩ och den övergripande värmeutformningen på kortet.