Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V N, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-4356
- Tillv. art.nr:
- IPA80R450P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
622,95 kr
(exkl. moms)
778,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 12,459 kr | 622,95 kr |
| 100 - 200 | 9,968 kr | 498,40 kr |
| 250 - 450 | 9,471 kr | 473,55 kr |
| 500 - 950 | 8,969 kr | 448,45 kr |
| 1000 + | 8,597 kr | 429,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4356
- Tillv. art.nr:
- IPA80R450P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 29W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.68mm | |
| Bredd | 16.15 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.85mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Maximal effektförlust Pd 29W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.68mm | ||
Bredd 16.15 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.85mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 800V Cool MOS P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power.
It has fully optimised portfolio
It has lower assembly cost
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 11 A 800 V N TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 11 A 800 V Förbättring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 4.5 A 800 V TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 800 V Förbättring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 17 A 800 V Förbättring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 13 A 800 V TO-247, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 3 A 800 V Förbättring TO-252, 800V CoolMOS P7
