Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V N, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

147,28 kr

(exkl. moms)

184,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 520 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4014,728 kr147,28 kr
50 - 9013,989 kr139,89 kr
100 - 24013,384 kr133,84 kr
250 - 49012,835 kr128,35 kr
500 +11,939 kr119,39 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4357
Tillv. art.nr:
IPA80R450P7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-220

Serie

800V CoolMOS P7

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

450mΩ

Kanalläge

N

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

29W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.85mm

Längd

10.68mm

Bredd

16.15mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon 800 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 800 V avtappningskällspänning, 11 A kontinuerlig avtappningsström – IPA80R450P7XKSA1


Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för strömomvandling och industriella tillämpningar. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är avsedd för genomgående hålmontering i konventionella strömförsörjningsenheter, vilket ger ett robust alternativ där hög spänningshantering och måttlig strömkapacitet krävs.

Funktioner och fördelar:


• 800 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 11 A stöder betydande belastningsströmmar
• 450 mΩ RDS(on) minimerar ledningsförluster i effektsteg
• 24 nC typisk grindladdning möjliggör effektiv omkopplingsprestanda
• 29 W maximal effektförlust hanterar förhöjd värmestress
• 30 V gate-tolerans möjliggör flexibla gate-drivamplituder

Användningsområden


• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Idealisk för industriella motorstyrningsfrontändar
• Används med switchade strömförsörjningssystem inom energi
• Kan användas för omkoppling på linjesidan i förstärkningskretsar
• Lämplig för hålmonteringar i laboratorier och för prototypframtagning

Inom vilket temperaturintervall kan den användas på ett tillförlitligt sätt?


Enheten är specifik för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket stöder drift i både låg- och högtemperaturmiljöer.

Hur är den förpackad för montering och kylning?


Den levereras i en TO-220-kapsel avsedd för genomgående hålmontering, vilket möjliggör anslutning till kylelement eller chassi för värmehantering.

Vilka överväganden om gate-drivning bör observeras?


Den maximala gate-källspänningen är 30 V och den typiska totala gate-laddningen är 24 nC, så val av drivare bör balansera spänningens huvudutrymme och drivkraft för att uppnå önskad omkopplingshastighet.

Hur påverkar dess ledningsmotstånd designen?


Med ett maximalt drain-source-motstånd på 450 mΩ bör konstruktörer ta hänsyn till ledningsförluster vid förväntade strömmar och storleken på kylelementet i enlighet därmed.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.