Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-4419
- Tillv. art.nr:
- IPP80R280P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 066,00 kr
(exkl. moms)
1 332,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 21,32 kr | 1 066,00 kr | - |
| 100 - 200 | 20,254 kr | 1 012,70 kr | 4% |
| 250 + | 19,828 kr | 991,40 kr | 6% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4419
- Tillv. art.nr:
- IPP80R280P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 101W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 15.93mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.4mm | |
| Längd | 10.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 101W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 15.93mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.4mm | ||
Längd 10.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna Infineon 800 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET-serie är perfekt för SMPS-tillämpningar med låg effekt genom att helt uppfylla marknadens behov i prestanda, användarvänlighet och pris/prestandaförhållande. Den fokuserar främst på flybackapplikationer inklusive adapter och laddare, LED-drivare, ljud-SMPS, AUX och industriell strömförsörjning.
Den har en helt optimerad portfölj
Den har lägre monteringskostnad
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V N, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 800V CoolMOS P7