Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 215-2487
- Tillv. art.nr:
- IPA80R900P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 40 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
221,98 kr
(exkl. moms)
277,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 140 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 20 - 20 | 11,099 kr | 221,98 kr | - |
| 40 - 80 | 10,545 kr | 210,90 kr | 4% |
| 100 - 180 | 10,103 kr | 202,06 kr | 8% |
| 200 - 480 | 9,655 kr | 193,10 kr | 13% |
| 500 + | 8,994 kr | 179,88 kr | 18% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2487
- Tillv. art.nr:
- IPA80R900P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 26W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal effektförlust Pd 26W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 800 V Cool MOSTM P7 Super Junction MOSFET-serie passar perfekt för SMPS-tillämpningar med låg effekt genom att helt uppfylla marknadens behov i prestanda, användarvänlighet och pris/prestanda-förhållande. Den fokuserar främst på flybackapplikationer inklusive adapter och laddare, LED-drivare, ljud-SMPS, AUX och industriell strömförsörjning. Denna nya produktfamilj erbjuder en effektivitetsförstärkning på upp till 0,6 % och 2 °C till 8 °C lägre MOSFET-temperatur jämfört med sin föregångare samt med konkurrerande delar som testats i typiska flyback-tillämpningar. Det möjliggör också konstruktioner med högre effekttäthet genom lägre omkopplingsförluster och bättre DPAK RDS(on)-produkter.
Integrerat zenerdiod-ESD-skydd upp till klass 2 (HBM)
Klassens bästa kvalitet och tillförlitlighet
Helt optimerad portfölj
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V N, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7