Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-247, 800V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 218-3091
- Tillv. art.nr:
- IPW80R360P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 30 enheter)*
610,53 kr
(exkl. moms)
763,17 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 210 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 20,351 kr | 610,53 kr |
| 60 - 120 | 19,333 kr | 579,99 kr |
| 150 - 270 | 18,52 kr | 555,60 kr |
| 300 - 570 | 17,705 kr | 531,15 kr |
| 600 + | 16,484 kr | 494,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3091
- Tillv. art.nr:
- IPW80R360P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 84W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 84W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 21.1mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-channel power MOSFET. It is suitable for hard and soft switching flyback topologies for LED Lighting, low power Chargers and Adapters, Audio, AUX power and industrial power.
Best-in-class performance
Integrated Zener Diode ESD protection
Fully optimized portfolio
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 13 A 800 V TO-247, 800V CoolMOS P7
- Infineon 4 A 800 V PG-TO251-3, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 4.5 A 800 V TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 800 V Förbättring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 11 A 800 V N TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 17 A 800 V Förbättring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 3 A 800 V Förbättring TO-252, 800V CoolMOS P7
