Infineon 1 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET-arrayer, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

182,25 kr

(exkl. moms)

227,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 11 350 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +3,645 kr182,25 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4335
Distrelec artikelnummer:
304-39-398
Tillv. art.nr:
BSL308CH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET-arrayer

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

TSOP

Fästetyp

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

57mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

-5nC

Maximal effektförlust Pd

0.6W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Bredd

1.6 mm

Höjd

1mm

Längd

2.9mm

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, RoHS

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

AEC-Q101

Denna Infineon OptimOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET - en n-kanalig och en p-kanalig effekt-MOSFET i samma paket - är en högeffektiv lösning för kraftgenerering (t.ex. mikroinverterare för solceller), strömförsörjning (t.ex. server och telekom) och strömförbrukning (t.ex. elfordon). Den är lavinklassad

Den är 100% blyfri och RoHS-kompatibel

Relaterade länkar