Infineon 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 55 V Förbättring, 8 Ben, DSO, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4623
- Tillv. art.nr:
- BSO604NS2XUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*
21 395,00 kr
(exkl. moms)
26 745,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 500 enhet(er) levereras från den 07 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 8,558 kr | 21 395,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4623
- Tillv. art.nr:
- BSO604NS2XUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Bredd | 3.94mm | |
| Längd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.47mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp DSO | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19.7nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Bredd 3.94mm | ||
Längd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.47mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
"Infineons design av MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ""metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Logiknivå
Förbättringsläge grön produkt (RoHS-kompatibel)
AEC-godkända
Relaterade länkar
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 55 V Förbättring, 8 Ben, DSO, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal Dubbel, MOSFET, 20 A 55 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 55 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, MOSFET och diod, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101