Infineon Dual OptiMOS 1 Type P, Type N-Channel MOSFET Arrays, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

5 979,00 kr

(exkl. moms)

7 473,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 9 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30001,993 kr5 979,00 kr
6000 +1,894 kr5 682,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4334
Tillv. art.nr:
BSL308CH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET Arrays

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TSOP

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

57mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.6W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

-5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.6 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, RoHS

Length

2.9mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptimOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET- an n-channel and a p-channel power MOSFET within the same package-is high efficiency solution for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). It is Avalanche rated

It is 100% lead-free and RoHS compliant

relaterade länkar