Vishay SiSS32ADN Type N-Channel MOSFET, 63 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS32ADN-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

77,42 kr

(exkl. moms)

96,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 11 840 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +7,742 kr77,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-5014
Tillv. art.nr:
SiSS32ADN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

63A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiSS32ADN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Width

3.4 mm

Height

0.83mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type with 63 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar