Vishay SiSS30LDN Type N-Channel MOSFET, 55.5 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS30LDN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

126,22 kr

(exkl. moms)

157,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9012,622 kr126,22 kr
100 - 24011,984 kr119,84 kr
250 - 4909,094 kr90,94 kr
500 - 9908,198 kr81,98 kr
1000 +6,933 kr69,33 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-5051
Tillv. art.nr:
SISS30LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS30LDN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Height

0.78mm

Automotive Standard

No

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

relaterade länkar