Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 54.7 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS30ADN

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

84,22 kr

(exkl. moms)

105,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +8,422 kr84,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-5011
Tillv. art.nr:
SiSS30ADN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

54.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

SiSS30ADN

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

57W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.4 mm

Höjd

0.83mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type with 54.7 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested