Vishay SiS128LDN Type N-Channel MOSFET, 33.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS128LDN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

85,23 kr

(exkl. moms)

106,54 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 908,523 kr85,23 kr
100 - 2408,109 kr81,09 kr
250 - 4907,258 kr72,58 kr
500 - 9905,197 kr51,97 kr
1000 +4,099 kr40,99 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-5153
Tillv. art.nr:
SiS128LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiS128LDN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

20.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.07mm

Length

3.15mm

Width

3.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

relaterade länkar