Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS32ADN

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

22 302,00 kr

(exkl. moms)

27 876,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,434 kr22 302,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-5013
Tillv. art.nr:
SiSS32ADN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

63A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

SiSS32ADN

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

6.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

65.7W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.83mm

Bredd

3.4 mm

Längd

3.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type with 63 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar