Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 55.5 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS30LDN

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

17 070,00 kr

(exkl. moms)

21 330,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,69 kr17 070,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4902
Tillv. art.nr:
SISS30LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

55.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

SiSS30LDN

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

12mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

32.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

57W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.78mm

Bredd

3.3 mm

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM