Vishay SiSS30ADN Type N-Channel MOSFET, 54.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

17 151,00 kr

(exkl. moms)

21 438,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,717 kr17 151,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-5010
Tillv. art.nr:
SiSS30ADN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

54.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiSS30ADN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Height

0.83mm

Width

3.4 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type with 54.7 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar