Vishay SiDR680ADP Type N-Channel MOSFET, 137 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR680ADP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

238,11 kr

(exkl. moms)

297,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4023,811 kr238,11 kr
50 - 9019,029 kr190,29 kr
100 - 24016,979 kr169,79 kr
250 - 49016,542 kr165,42 kr
500 +16,117 kr161,17 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7258
Tillv. art.nr:
SIDR680ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

137A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiDR680ADP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.88mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.51mm

Length

5.9mm

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has a very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) and is tuned for the lowest RDS - Qoss FOM.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

relaterade länkar