Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

15 948,00 kr

(exkl. moms)

19 935,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,316 kr15 948,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-7259
Tillv. art.nr:
SISF06DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

101A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSF06DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0045Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Height

0.73mm

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET is an integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package.

Very low source-to-source on resistance

TrenchFET Gen IV power MOSFET

relaterade länkar