Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF06DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

173,30 kr

(exkl. moms)

216,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +8,665 kr173,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7260
Tillv. art.nr:
SISF06DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

101A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSF06DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0045Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3 mm

Height

0.73mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET is an integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package.

Very low source-to-source on resistance

TrenchFET Gen IV power MOSFET

relaterade länkar