Vishay Dual N Channel Mosfet TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 13.1 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

95,54 kr

(exkl. moms)

119,425 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 15 885 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4519,108 kr95,54 kr
50 - 12018,166 kr90,83 kr
125 - 24515,30 kr76,50 kr
250 - 49514,358 kr71,79 kr
500 +13,35 kr66,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2827
Tillv. art.nr:
Si7252ADP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

18.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

100V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual N Channel Mosfet

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

PWM optimized

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar